Top.Mail.Ru
Как купить Сервис Контакты Оптовикам
Сравнение
Добавте несколько товаров для сравнения
Звонок бесплатный
8 800 700-10-70
проверить баланс
  • Цена

  • Бренд

  • Объем одного модуля памяти

  • Тип памяти

  • Пропускная способность

  • Тактовая частота

  • Напряжение питания

Оперативная память для ноутбука

С интернет-магазином «Матрица» Вы сможете купить оперативную память для ноутбука в Йошкар-Оле, выбрав из большого каталога моделей.

Сортировать:
сначала подешевле
Показать товары:
в наличии в наличии и под заказ


В наличии в магазине:
Победы 2а Ленинский пр-т. 22а Килемары
Выводить по:
24 48 96
Вид:
 
  • Память оперативная AMD SO-DIMM DDR4 4Gb 2400MHz R744G2400S1S-UO OEM PC4-19200 CL17
    CAS Latency (CL): 16, RAS to CAS Delay (tRCD): 16, Row Precharge Delay (tRP): 16, Activate to Precharge Delay (tRAS): 36, Форм-фактор памяти: SODIMM, Пропускная способность: PC19200, Напряжение питания: 1.2 В, Объем одного модуля памяти: 4 Гб, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Тактовая частота: 2400 МГц, Суммарный объем памяти всего комплекта: 4 Гб, Двухсторонняя установка чипов: есть, Количество чипов модуля: 8, Акции: нет
    Развернуть характеристики
    1380 руб.
  • Память оперативная AFOX SO-DIMM DDR4 4096Mb 2400Mhz PC19200(AFSD44EK1P) (retail)
    CAS Latency (CL): 17, RAS to CAS Delay (tRCD): 17, Row Precharge Delay (tRP): 17, Форм-фактор памяти: SODIMM, Пропускная способность: PC19200, Напряжение питания: 1.2 В, Объем одного модуля памяти: 4 Гб, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Тактовая частота: 2400 МГц, Суммарный объем памяти всего комплекта: 4 Гб, Количество чипов модуля: 8, Акции: нет
    Развернуть характеристики
  • Память оперативная Patriot PSD44G266641S DDR4 4096Mb 2666MHz RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank
    CAS Latency (CL): 19, RAS to CAS Delay (tRCD): 19, Row Precharge Delay (tRP): 19, Activate to Precharge Delay (tRAS): 43, Форм-фактор памяти: SODIMM, Пропускная способность: PC21300, Напряжение питания: 1.2 В, Объем одного модуля памяти: 4 Гб, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Тактовая частота: 2666 МГц, Суммарный объем памяти всего комплекта: 4 Гб, Год релиза: 2021, Акции: нет
    Развернуть характеристики
    1458 руб.
  • Память оперативная Samsung SO-DIMM DDR4 4096Mb 2666MHz M471A5244CB0-CTD CL17
    CAS Latency (CL): 17, RAS to CAS Delay (tRCD): 17, Row Precharge Delay (tRP): 17, Форм-фактор памяти: SODIMM, Пропускная способность: PC21300, Напряжение питания: 1.2 В, Объем одного модуля памяти: 4 Гб, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Тактовая частота: 2666 МГц, Суммарный объем памяти всего комплекта: 4 Гб, Двухсторонняя установка чипов: нет, Количество чипов модуля: 4, Год релиза: 2018, Акции: нет
    Развернуть характеристики
    1726 руб.
  • Память оперативная Patriot SO DDR3 4095Mb 1600MHz PSD34G16002S RTL PC3-12800 CL11 204-pin 1.5B
    Форм-фактор памяти: SODIMM, Пропускная способность: PC12800, Напряжение питания: 1.5 В, Объем одного модуля памяти: 4 Гб, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Тактовая частота: 1600 МГц, Суммарный объем памяти всего комплекта: 4 Гб, Акции: нет
    Развернуть характеристики
    1853 руб.
  • Память оперативная Corsair CMSA4GX3M1A1066C7 DDR3, 4Гб 1066, SO-DIMM, Ret
    CAS Latency (CL): 7, RAS to CAS Delay (tRCD): 7, Row Precharge Delay (tRP): 7, Activate to Precharge Delay (tRAS): 20, Пропускная способность: PC8500, Напряжение питания: 1.5 В, Объем одного модуля памяти: 4 Гб, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Суммарный объем памяти всего комплекта: 4 Гб, Двухсторонняя установка чипов: есть, Количество чипов модуля: 16, Год релиза: 2017
    Развернуть характеристики
    1853 руб.
  • Память оперативная Patriot SO-DIMM DDR3 4Gb PSD34G160081S 1600MHz, Ret
    Форм-фактор памяти: SODIMM, Пропускная способность: PC12800, Напряжение питания: 1.5 В, Низкопрофильная (Low Profile): нет, Объем одного модуля памяти: 4 Гб, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Тактовая частота: 1600 МГц, Суммарный объем памяти всего комплекта: 4 Гб, Акции: нет
    Развернуть характеристики
    1853 руб.
  • Память оперативная Kingmax SO-DIMM DDR4 4096Mb 2400MHz KM-SD4-2400-4GS RTL PC4-19200 CL17 260-pin 1.2В
    CAS Latency (CL): 17, RAS to CAS Delay (tRCD): 17, Row Precharge Delay (tRP): 17, Activate to Precharge Delay (tRAS): 39, Пропускная способность: PC19200, Напряжение питания: 1.2 В, Объем одного модуля памяти: 4 Гб, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Суммарный объем памяти всего комплекта: 4 Гб, Двухсторонняя установка чипов: есть, Акции: нет
    Развернуть характеристики
    1934 руб.
  • Память оперативная Kingston SODIMM DDR4 4Gb PC19200/2400MHz, 1.2v, KVR24S17S6/4 RTL
    CAS Latency (CL): 17, RAS to CAS Delay (tRCD): 17, Row Precharge Delay (tRP): 17, Форм-фактор памяти: SODIMM, Пропускная способность: PC19200, Напряжение питания: 1.2 В, Объем одного модуля памяти: 4 Гб, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Суммарный объем памяти всего комплекта: 4 Гб, Двухсторонняя установка чипов: нет, Количество чипов модуля: 4, Год релиза: 2018, Акции: нет
    Развернуть характеристики
    1979 руб.
  • Память оперативная Kingston SODIMM DDR4 4096Mb 2666MHz KVR26S19S6/4 RTL PC4-21300 CL19 260-pin 1.2В single rank
    Форм-фактор памяти: SODIMM, Пропускная способность: PC4-21300, Напряжение питания: 1.2 В, Объем одного модуля памяти: 4 Гб, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Тактовая частота: 2666 МГц, Суммарный объем памяти всего комплекта: 4 Гб, Акции: нет
    Развернуть характеристики
    2417 руб.
  • Память оперативная Kingmax DDR4 8192 2400MHz KM-SD4-2400-8GS RTL PC4-19200 CL17 SO-DIMM 260-pin 1.2В dual rank
    CAS Latency (CL): 17, RAS to CAS Delay (tRCD): 17, Row Precharge Delay (tRP): 17, Activate to Precharge Delay (tRAS): 39, Форм-фактор памяти: DIMM, Пропускная способность: PC19200, Напряжение питания: 1.2 В, Объем одного модуля памяти: 8 Гб, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Тактовая частота: 2400 МГц, Суммарный объем памяти всего комплекта: 8 Гб, Двухсторонняя установка чипов: есть, Акции: нет
    Развернуть характеристики
    3246 руб.
  • Память оперативная Crucial SO-DIMM DDR4 8Gb 2666MHz CT8G4SFRA266 RTL PC4-21300 CL19 260-pin 1.2В single rank
    CAS Latency (CL): 19, RAS to CAS Delay (tRCD): 19, Row Precharge Delay (tRP): 19, Форм-фактор памяти: SODIMM, Пропускная способность: PC21300, Напряжение питания: 1.2 В, Объем одного модуля памяти: 8 Гб, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Тактовая частота: 2666 МГц, Суммарный объем памяти всего комплекта: 8 Гб, Год релиза: 2020, Акции: нет
    Развернуть характеристики
    3563 руб.
  • Память оперативная Patriot SO-DIMM DDR4 8192Mb 2666MHz PSD48G266681S RTL PC3-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank
    CAS Latency (CL): 19, RAS to CAS Delay (tRCD): 19, Row Precharge Delay (tRP): 19, Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 см, Форм-фактор памяти: SODIMM, Пропускная способность: PC21300, Напряжение питания: 1.2 В, Объем одного модуля памяти: 8 Гб, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Тактовая частота: 2666 МГц, Суммарный объем памяти всего комплекта: 8 Гб, Акции: нет
    Развернуть характеристики
    3465 руб.
  • Память оперативная SO DDR3 8192Mb 1600MHz (R538G1601S2S-UO) OEM
    Форм-фактор памяти: SODIMM, Пропускная способность: PC12800, Напряжение питания: 1.5 В, Низкопрофильная (Low Profile): нет, Объем одного модуля памяти: 8 Gb, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Тактовая частота: 1600 МГц, Акции: нет
    Развернуть характеристики
    3545 руб.
  • Память оперативная Patriot SO-DIMM DDR4 8192Mb 2666Mhz Viper Steel PC21300 (PVS48G266C8S) (retail)
    CAS Latency (CL): 18, RAS to CAS Delay (tRCD): 18, Row Precharge Delay (tRP): 18, Activate to Precharge Delay (tRAS): 43, Форм-фактор памяти: SODIMM, Пропускная способность: PC21300, Напряжение питания: 1.2 В, Объем одного модуля памяти: 8 Гб, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Тактовая частота: 2666 МГц, Суммарный объем памяти всего комплекта: 8 Гб, Год релиза: 2020, Акции: нет
    Развернуть характеристики
    3545 руб.
  • Память оперативная Patriot SO-DIMM DDR4 8Gb 3000MHz PVS48G300C8S RTL PC4-24000 CL18 260-pin 1.25В
    CAS Latency (CL): 18, RAS to CAS Delay (tRCD): 22, Row Precharge Delay (tRP): 22, Activate to Precharge Delay (tRAS): 43, Форм-фактор памяти: SODIMM, Пропускная способность: PC24000, Напряжение питания: 1.25 В, Объем одного модуля памяти: 8 Гб, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Тактовая частота: 3000 МГц, Суммарный объем памяти всего комплекта: 8 Гб, Год релиза: 2019, Акции: нет
    Развернуть характеристики
    3545 руб.
  • Память оперативная Kingston SO-DIMM DDR3 8192Mb 1333MHz DDR3 Non-ECC CL9 (KVR1333D3S9/8G)
    CAS Latency (CL): 9, RAS to CAS Delay (tRCD): 9, Row Precharge Delay (tRP): 9, Activate to Precharge Delay (tRAS): 36, Форм-фактор памяти: SODIMM, Пропускная способность: PC10600, Напряжение питания: 1.5 В, Объем одного модуля памяти: 8 Гб, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Тактовая частота: 1333 МГц, Суммарный объем памяти всего комплекта: 8 Гб, Двухсторонняя установка чипов: есть, Количество чипов модуля: 16, Год релиза: 2013, Акции: нет
    Развернуть характеристики
    4910 руб.
  • Память оперативная Kingston SO DDR3 8192Mb 1600MHz DDR3 Non-ECC CL11 (KVR16S11/8)
    Форм-фактор памяти: SODIMM, Пропускная способность: PC12800, Напряжение питания: 1.5, Низкопрофильная (Low Profile): нет, Объем одного модуля памяти: 8 Gb, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Тактовая частота: 1600 МГц, Суммарный объем памяти всего комплекта: 8 Гб, Акции: нет
    Развернуть характеристики
    5156 руб.
  • Память оперативная Patriot DDR4 16Gb 2666MHz PVS416G266C8S RTL PC4-21300 CL18 SO-DIMM 260-pin 1.2В
    CAS Latency (CL): 18, RAS to CAS Delay (tRCD): 18, Row Precharge Delay (tRP): 18, Activate to Precharge Delay (tRAS): 43, Пропускная способность: PC21300, Напряжение питания: 1.2 В, Объем одного модуля памяти: 16 Гб, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Тактовая частота: 2666 МГц, Суммарный объем памяти всего комплекта: 16 Гб, Год релиза: 2020, Акции: нет
    Развернуть характеристики
    5889 руб.
  • Память оперативная Samsung DDR4 16Gb 2666MHz M471A2K43DB1-CTD OEM PC4-21300 CL19 260-pin SO-DIMM 1.2В original d
    CAS Latency (CL): 19, RAS to CAS Delay (tRCD): 19, Row Precharge Delay (tRP): 19, Activate to Precharge Delay (tRAS): 40, Наличие радиатора: нет, Форм-фактор памяти: SODIMM, Пропускная способность: PC21300, Напряжение питания: 1.2 В, Низкопрофильная (Low Profile): нет, Объем одного модуля памяти: 16 Гб, Количество модулей в комплекте: 1 шт, Тактовая частота: 2666 МГц, Суммарный объем памяти всего комплекта: 16 Гб, Акции: нет
    Развернуть характеристики
    6255 руб.

Ищете оперативную память для ноутбука в Йошкар-Оле? Интернет-магазин «Матрица» осуществляет продажу компьютерных комплектующих онлайн с доставкой по городу и ближайшим районам.

Модели

В каталоге интернет-магазина представлено множество разновидностей оперативной памяти для ноутбука. Вы легко подберете нужную модель, сравнив характеристики, описания и цены, а также прочитав отзывы покупателей.

Стоимость

Цены на оперативную память для ноутбука поддерживаются на оптимальном уровне — всегда ниже, чем в обычном магазине!

Как оформить заказ?

Для того чтобы заказать оперативную память для ноутбука, добавьте выбранную позицию в Корзину. Подробная информация — на странице «Как купить».

По всем вопросам, связанным с приобретением компьютерных комплектующих в интернет-магазине «Матрица», можно обратиться по номеру телефона 8 800 700-10-70. Наши специалисты ответят на все вопросы и помогут определиться с выбором.