Соответствующая типу DDR4 4-гигабайтная оперативная память SODIMM Silicon Power [SP004GBSFU266N02] ориентирована на функционирование в составе мобильных компьютеров начального и среднего уровня. Устройство может использоваться как для замены вышедшего из строя модуля ОЗУ, так и для модернизации ноутбука. Модуль также подходит для использования в составе многих миниатюрных стационарных ПК. Необходимым условием совместимости в этом случае является оснащение материнской платы слотами SODIMM DDR4. Оперативная память SODIMM Silicon Power [SP004GBSFU266N02] рассчитана на работу на частоте 2666 МГц. Также поддерживаются частоты 1600, 1866 и 2133 МГц. Пропускная способность памяти, составляющая 21300 МБ/с, достаточна для эффективной работы с любым типовым программным обеспечением. CAS-латентность модуля – 19. Напряжение питания устройства стандартно для DDR4 – 1.2 В. Модуль отличается низким энергопотреблением. Это свойство прежде всего актуально для ноутбуков.
Тип товара |
Память оперативная
|
Бренд |
Silicon Power
|
Код производителя |
[SP004GBSFU266N02]
|
Модель |
SO-DIMM DDR4 4GB 2666MHz SP004GBSFU266N02 RTL PC4-21300 CL19 260-pin 1.2В singl
|
Количество модулей в комплекте |
1 шт
|
Объем одного модуля памяти |
4 Гб
|
Тип памяти |
DDR4
|
Форм-фактор памяти |
SODIMM
|
Пропускная способность |
PC21300
|
Тактовая частота |
2666 МГц
|
CAS Latency (CL) |
19
|
Напряжение питания |
1.2 В
|